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基于超微量天平對(duì)沉積質(zhì)量的精確測(cè)量，制備納尺度的銅薄膜
來(lái)源： 舒勇華 劉崇 王連紅 張俊 瀏覽 904 次 發(fā)布時(shí)間:2024-08-29
摘要： 在稀薄氧壓下，用電子束蒸發(fā)的方法在鋁酸鑭(LaAlO)基片上沉積制備納尺度的銅薄膜。
基于超微量天平對(duì)沉積質(zhì)量的精確測(cè)量，以及ICP-AES對(duì)薄膜中金屬元素的準(zhǔn)確分析，研究了基片溫度和氧分壓對(duì)銅原子在鋁酸鑭基片表面吸附系數(shù)的影響。
銅表面氧化的理論分析和模型
同時(shí)，用超微量天平精確測(cè)量沉積薄膜的總質(zhì)量，并用ICP-AES分析薄膜中銅元素的質(zhì)量，進(jìn)而確定了納尺度銅薄膜的氧化程度，通過(guò)改變氧分壓和基片溫度，獲得了銅薄膜的氧化程度與氧分壓和基片溫度之間的關(guān)系。
用XRD分析了薄膜結(jié)構(gòu)，用SEM觀察了薄膜表面形貌，這些研究結(jié)果為三源共蒸發(fā)原位制備YBCO薄膜中基片溫度和氧分壓的選擇提供了依據(jù)。